Najveći i najuspješniji kineski proizvođač DRAM-a, CXMT, došao je do prilično važne prekretnice, prema industrijskim izvorima portala The Information, što će Kini pomoći da u segmentu AI akceleratora još manje ovisi o stranim proizvođačima i stranim tehnologijama te da umjesto njih koristi memorijske slojevite čipove razvijene i proizvedene u zemlji – ako sve ide prema planu. CXMT je prema saznanjima nedavno mogao započeti pokusnu proizvodnju memorijskih slojevitih čipova standarda HBM3E, što s obzirom na to da se vodeći proizvođači upravo spremaju uvesti HBM4E ne djeluje osobito impresivno, no ipak je riječ o golemom rezultatu na kojem se u budućnosti mogu graditi nove strategije.
Zaostatak od otprilike dvije generacije u svjetlu navedenog nije tragičan, osobito ako tvrtka masovnu proizvodnju čipova opet pokrene jednako brzo kao što je to prije činila kod drugih memorijskih tehnologija. Nažalost, nisu objavljeni točni parametri HBM3E slojevitih čipova koji su u pokusnoj proizvodnji, no na temelju smjernica standarda JEDEC ipak se može naslutiti o kakvim je proizvodima riječ. Kod HBM3E još vrijedi 1024-bitna memorijska sabirnica, a preko kontakata pojedinih matrica moguće je ostvariti brzine između 9,2 Gbps i 12,4 Gbps – idealan izbor mogao bi biti 9,6 Gbps.
Ti se memorijski slojeviti čipovi mogu sastojati od 8 ili 12 memorijskih matrica, odnosno mogu imati građu 8-Hi ili 12-Hi, te sukladno tome nuditi kapacitet od 24 GB ili 36 GB, a po propusnosti podataka mogu biti sposobni za 1,2 TB/s po čipu. Prva rješenja tvrtke CXMT vjerojatno se nalaze u nižem području specifikacije HBM3E, no njihova bi masovna proizvodnja mogla krenuti razmjerno brzo, ako i ovaj put prođe samo nekoliko tjedana između pokusne proizvodnje i početka serijske proizvodnje. O kretanju stope iskorištenja zasad nema vijesti, ali i to bi se moglo razjasniti kasnije.
Sama tvrtka inače se na tržištu memorija širi prilično agresivno: za razliku od uobičajene zapadne prakse, umjesto 24 mjeseca čiste sobe za proizvodnju poluvodiča može izgraditi i za 12 mjeseci te ih razmjerno brzo opremiti. Tvrtka trenutačno ima dva velika pogona koja proizvode 12-inčne silicijske pločice, a zajedno mogu započeti proizvodnju 200.000 silicijskih pločica mjesečno. Prema ranijim planovima do kraja ove godine mjesečni proizvodni kapacitet povećat će se na 350.000 silicijskih pločica, čime bi mogla dostići, pa čak i premašiti razinu Microna, što bi mogao biti prilično velik uspjeh, ako se cilj uspije ostvariti. Dugoročno žele izgraditi još značajniju mrežu tvornica sposobnu za proizvodnju 600.000 silicijskih pločica mjesečno.
Proširenje proizvodnih kapaciteta bit će i potrebno, jer se na slojevitim memorijskim čipovima tipa HBM nalazi više DRAM matrica, pa ako se želi proizvesti odgovarajuća količina čipova, treba povećati i proizvodnju. To istodobno znači i da potrošačko tržište ne mora nužno dobiti više DRAM čipova, ma koliko proizvodnja rasla, jer se veći dio prirasta može usmjeriti na isplativiju proizvodnju HBM-a, što može dovesti do daljnjeg rasta cijena memorija, a ako HBM proizvodnja dobije preveliki prioritet, stanje se može još pogoršati.
Pokretanje pokusne proizvodnje HBM3E-a ima golemu važnost, jer ako se ti slojeviti memorijski čipovi uspiju proizvoditi u odgovarajućoj kvaliteti i količini, domaća industrija AI akceleratora moći će se opskrbljivati čipovima velike memorijske propusnosti, a da pritom ne mora ovisiti o zapadnim izvorima.
