Intelovi inženjeri rade na novoj vrsti memorije koja bi mogla donijeti golem napredak u propusnosti memorije u segmentu AI akceleratora. Doduše, po kapacitetu memorije zasad još zaostaje, ali se ipak čini izrazito obećavajućim razvojem. U radu Intelov tim pomaže Sainmemory, podružnica SoftBanka, kako bi u obliku HB3DM-a mogli izraditi dovoljno snažnog izazivača standardu HBM (High-Bandwidth Memory).
Sve pojedinosti o novoj vrsti memorije mogle bi izaći na vidjelo na konferenciji VLSI 2026, koja se održava u lipnju, no o novitetu je već sada dostupno mnogo informacija na temelju kojih se čini da bi u segmentu memorijskih čip-sendviča koji opslužuju AI akceleratore mogao stići snažan konkurent. O razvoju je nedavno izvijestio dr. Ian Cutress, no kvaliteta slajdova još nije najbolja.
HB3DM, jednako kao i HBM, slaže memorijske čipove u slojeve, ali ovdje se koristi tehnologija Z-Angle Memory, koja je slična rješenju primijenjenom kod HBM-a, tj. uz njezinu pomoć memorijski se čipovi mogu slagati jedan na drugi duž osi Z. Uz tehnologiju Z-Angle Memory u procesu važnu ulogu ima i nekoliko drugih prilično naprednih tehnologija, primjerice Hybrid Bonding, koji pomaže pri slaganju čipova u slojeve.
U okviru aktualnog dizajna jedan memorijski čip-sendvič sastoji se od ukupno 9 slojeva čipova, a među njima vezu uspostavlja otprilike 13 700 TSV-ova, tj. okomitih spojnih vodiča. Bazni sloj sadrži nešto logičkih sklopova koji pomažu u usmjeravanju kretanja podataka unutar čipa, a iznad njega smješteno je osam DRAM slojeva koji obavljaju privremenu pohranu podataka.
Na trenutačnoj razini razvijenosti HB3DM može postići kapacitet memorije od otprilike 1,125 GB po sloju, što za pojedini memorijski čip-sendvič znači ukupni kapacitet od 10 GB. Kod čipa površine 171 četvornog milimetra može se postići propusnost memorije od 0,25 Tb/s po četvornom milimetru, što znači da pojedini memorijski čip-sendvič može osigurati propusnost memorije od oko 5,3 TB/s, što je masivan napredak u odnosu na najnaprednije izvedbe HBM-a. Kod HBM4 pojedini memorijski čip-sendvič može raditi s propusnošću memorije od otprilike 2 TB/s, dakle HB3DM ima znatnu prednost pred HBM4.
Po propusnosti memorije, dakle, HB3DM ima priličnu prednost, no po kapacitetu memorije bolje stoji HBM4: dok je kod prvog riječ o 10 GB, kod drugog kapacitet memorije po memorijskom čip-sendviču može iznositi najviše 48 GB. HB3DM se u tome naravno može poboljšati, mogu povećati gustoću memorije po čipu te broj memorijskih slojeva, čime bi mogao rasti i kapacitet memorije, no po propusnosti memorije već je sada jasno da je pobjednik nova tehnologija koju su razvili Intel i Sainmemory.
Zasad nije bilo govora o tome kada bi se točno mogli pojaviti prvi čipovi nove vrste memorije, a nije otkriveno ni koja će tvrtka izrađivati DRAM čipove koji osiguravaju osnovu. Budući da Intel ima nešto iskustva u proizvodnji memorijskih čipova, nije isključeno da će se i DRAM čipovi izrađivati u vlastitoj proizvodnji, no koja će se proizvodna tehnologija za to primijeniti, saznat ćemo tek kasnije.
