Samsungov je tim još na FMS 2026 dopustio uvid u to s kakvim memorijskim tehnologijama sljedeće generacije se priprema u ne tako dalekoj budućnosti, a one ciljaju ponajprije segment AI podatkovnih centara i AI akceleratora, no govorilo se i o V-NAND Flash čipovima 10. generacije, koji će debitirati pod nazivom BV-NAND.
Tvrtka je izašla s dva zanimljiva koncepta, jedan je zHBM, a drugi zNAND-O, čiji je cilj pomoći u povećanju performansi AI akceleratora i sustava koji ih poslužuju.
zHBM bit će poseban razvoj koji se ovaj put ne nalazi u neposrednoj blizini AI akceleratora, uz čip, integriran na sloju interposera, nego izravno iznad AI akceleratora, vertikalno integriran. Takav dizajn pomaže smanjiti latenciju, jer memorija dolazi bliže AI akceleratoru i podaci moraju prijeći kraći put, a istodobno se pri oblikovanju konačnog oblika koncepta velika pozornost posvećuje i povećanju propusnosti prijenosa podataka te povećanju energetske učinkovitosti.
Ako sve ide prema planu, zHBM bi u odnosu na HBM5 sljedeće generacije mogao nuditi više od deset puta veću gustoću memorije, a pritom radi tri puta energetski učinkovitije i može smanjiti toplinski otpor za više od polovice. Novim razvojem može se maksimizirati stabilnost kod sustava koji rade s velikim memorijskim kapacitetom i velikom memorijskom propusnošću, što je izrazito važan aspekt. zHBM daje klijentima i mogućnost da u međusloj čipa koji se nalazi između sendviča memorijskih čipova i AI akceleratora integriraju vlastite, jedinstvene logičke sklopove, što pruža novu mogućnost za povećanje performansi i/ili memorijskog kapaciteta.
zNAND-O također obećava biti važan koncept, a oslanja se na Samsungovu s pravom priznatu tehnologiju V-NAND. Kod zNAND-O integriraju se četiri ili osam slojeva V-NAND čipova jedan na drugi, čime se postižu visoke I/O performanse i niska latencija, a iskorištavanje raspoloživog prostora odvija se uz visoku učinkovitost. Ovaj razvoj ponajprije cilja sustave segmenta Edge i pomaže da sustav učinkovito obrađuje podatke koji nastaju u stvarnom vremenu, katkad u izrazito velikim količinama, uz iskorištavanje mogućnosti koje nudi umjetna inteligencija.
Treća memorijska tehnologija sljedeće generacije odnosi se na 3D V-NAND tehnologiju 10. generacije i nosi naziv BV-NAND. Taj razvoj, koji se sastoji od više od 400 slojeva ćelija, donosi ubrzanje i u performansama pisanja i čitanja, a povećava i I/O brzinu u odnosu na razinu viđenu kod rješenja prethodne generacije. Tehnologija temeljena na TLC NAND Flashu ima kapacitet od 28 Gb po četvornom milimetru, što je doduše malo manje od onoga što nudi BiCS10 NAND Flash koji su razvili Kioxia i SanDisk, no zauzvrat može postići mnogo veću I/O brzinu, jer umjesto 4800 MT/s sada može koristiti 5600 MT/s.
O očekivanom dolasku zHBM-a i zNAND-O od navedenih razvoja još nema konkretnih informacija, no vrlo je vjerojatno da će trebati još nekoliko godina razvojnog rada da bi se našli u opipljivim proizvodima. Sendviči memorijskih čipova HBM4e mogli bi stići mnogo prije, prve primjerke tvrtka odabranim partnerima isporučuje već od svibnja. U tu kategoriju spada i LPDDR5X-PIM, koji pomoću namjenskog akceleratora unutar same memorije može obavljati određene osnovne računalne zadatke, što pomaže u povećanju performansi AI akceleratora, jer čip može dobivati unaprijed obrađene podatke, a povećava se i energetska učinkovitost sustava i učinkovitost premještanja podataka. O službenom startu LPDDR5X-PIM-a zasad nema informacija, ali tehnologija bi mogla stići prije gore spomenutih zHBM i zNAND-O.
