Samsung je pokazao svoj ažurirani plan razvoja memorija, koji sadrži brojne zanimljive prekretnice što bi mogle dati snažan zamah i proizvođaču i proizvodima kupaca. Prema planu predstavljenom na SEMICON Taiwan 2026, čini se da će se kod AI akceleratora uz pomoć HBM5 i zHBM-a pokušati držati korak s konkurentima, dok bi na NAND Flash fronti veće uspjehe mogao donijeti zNAND-O, a veliki se naglasak stavlja i na razvoj konvencionalnih DRAM i NAND Flash čipova.
HBM5, koji stiže kao nasljednik HBM4E, mogao bi donijeti znatno ubrzanje, jer prema Samsungu udvostručuje performanse, uz 20% više performansi po svakom potrošenom vatu, a toplinski otpor smanjit će se za 20% u odnosu na razinu viđenu kod HBM4E. Vrlo važan napredak je to što je kod HBM4E i HBM4 osnovni čip izrađen u tehnologiji od 4 nm, dok kod HBM5 proizvodnju čipa osigurava tvrtkin vlastiti 2 nm node.
Prema planovima, jedan memorijski "sendvič" može se sastojati od čak 12, 16 ili 20 slojeva čipova, a početak serijske proizvodnje prvih čipova planira se očekivano za 2028. Istodobno razvoj HBM4E također ide punom parom, tvrtka se upravo sprema isporučivati primjerke s brzinom od 16 Gbps, što donosi veliki iskorak u odnosu na razinu od 11,7 Gbps korištenu kod HBM4 – oba podatka označavaju propusnost po pinu.
Uz HBM5 u tvrtkinoj se radionici priprema i rješenje vlastitog razvoja, zHBM, koje međutim prekida s konceptom HBM-a, odnosno memorijski "sendviči" neće se nalaziti u neposrednom susjedstvu čipa AI akceleratora, nego na vrhu akceleratora. Ta metoda pomaže skratiti put podataka, što povoljno djeluje i na latenciju, a povećava i učinkovitost i performanse. zHBM bi prema planovima u sirovim performansama mogao nadmašiti HBM4E čipove čak osam puta, uz tri puta bolji omjer performansi i vata, a toplinski otpor može smanjiti za 75-90%.
O tom se razvoju već ranije govorilo, tada se spominjalo da bi se ta posebna memorijska arhitektura na tržište mogla baciti negdje oko 2029. HBM arhitekturu, uzgred, ne pokušava iznova protumačiti i učinkovitije prikazati kupcima samo Samsung, nego i Nvidia: ona u sklopu NVHBM-a memorijske kontrolere s čipova AI akceleratora koji obavljaju izračune progoni na osnovni čip HBM memorijskog "sendviča", čime sustavu osigurava velike prednosti u više područja.
Samsungov tim naravno radi i na NAND Flash fronti, tamo donose razvoj zvan zNAND-O, koji u odnosu na DRAM čipove donosi deseterostruki iskorak u gustoći podataka, uz sedam puta veću propusnost čitanja u odnosu na NAND Flash memorijske čipove, a pritom može zadržati i razinu energetske učinkovitosti svojstvenu potonjima. Taj bi razvoj negdje tijekom 2028. mogao poprimiti oblik konkretnih prototipova, a tek nakon toga mogao bi dospjeti na konkretne proizvode.
Vodstvo tvrtke je uz nove proizvode dalo uvid i u svoju filozofiju ostvarenu u obliku okvira C.U.B.E. Cilj je da se kapacitet, iskorištenost, propusnost i učinkovitost jednako tretiraju kao prioriteti pri razvoju i proizvodnji pojedinih proizvoda. U sklopu nove strategije povećanje memorijskog kapaciteta pokušavaju ostvariti ne zauzimanjem veće površine tiskane pločice, nego vertikalnim širenjem, za što koriste optimiziranu 3D arhitekturu, koja može smanjiti i latenciju, a horizontalne podatkovne trake zamjenjuju brzim vertikalnim podatkovnim kanalima, pri čemu već na razini bitova paze na energetsku učinkovitost i upravljanje toplinom.
Samsungovi novi proizvodi postat će dostupni na tržištu tijekom idućih godina, dok tvrtka pokušava učinkovito konkurirati timu SK hynixa, a na oku drži i kineske proizvođače memorija koji su se pojavili kao "nova opasnost", bilo da je riječ o CXMT-u koji djeluje na tržištu DRAM-a ili o YMTC-u koji se sprema osvojiti tržište NAND Flasha.
