Samsung je u segmentu HBM memorijskih sendviča stigao do iznimno važne prekretnice. Najnoviji razvoj proizvođača, proizvodi izgrađeni oko memorijskog standarda HBM4E, uspješno su testirani, pri čemu se pokazalo da novitete u potpunosti ispunjavaju Nvidijine zahtjeve, odnosno da će se moći primjenjivati u AI akceleratorima iduće generacije, kodnog naziva Rubin Ultra.
To je ozbiljan uspjeh i veliki iskorak jer taj rezultat nije postignut kod memorijskih sendviča standarda HBM3E, koji nisu ispunili Nvidijina očekivanja pa nisu mogli završiti u tvrtkinim AI akceleratorima. To je naravno značilo velik gubitak, jer se usred AI groznice proizvodi HBM tržišta troše u golemim količinama, a Samsungovi HBM3E čipovi zbog spomenutog neuspjeha nisu uspjeli odrezati dovoljno velik komad zamišljene torte. Nvidia je ipak ukazala povjerenje južnokorejskom diviu u segmentu memorijskih čipova GDDR7, a sada je ponuda HBM4E također dorasla zadatku.
Kod nove HBM generacije Samsung spada među tvrtke predvodnice, jer njegovi 2048-bitni HBM4E memorijski sendviči mogu postići brzinu od 14 Gbps po kontaktu, a svaki takav čip komunicira preko 2048 kontakata. Uz brzinu od 14 Gbps jednim HBM4E memorijskim sendvičem može se postići memorijska propusnost od 3,6 TB/s, a ako se uzmu u obzir razvoji od 16 Gbps, ta vrijednost skače na 4 TB/s. Takvih memorijskih sendviča na jednom AI akceleratoru može biti i tucet, što znači da se može postići znatna memorijska propusnost.
U Samsungovoj ponudi HBM4E trenutačno se nalaze memorijski sendviči izvedbe 12-Hi, odnosno oni koji kriju 12 DRAM pločica, uz koje je moguće postići memorijski kapacitet od 48 GB po čipu. Prema potrebama tržišta kasnije se pripremaju i rješenja izvedbe 8-Hi i 16-Hi, koja osiguravaju kapacitet od 32 GB, odnosno 64 GB.
Ove godine mogli bi pokrenuti proizvodnju oko 20 000 silicijskih ploča mjesečno kao osnove za HBM4E memorijske sendviče, no tijekom 2027. ta bi količina mogla narasti na 50 000, također mjesečno, što znači da bi se proizvodni kapacitet mogao znatno povećati, ako sve ide prema planu. Ispod DRAM pločica naravno mora doći i bazna pločica, koja bi se mogla izrađivati Samsungovom proizvodnom tehnologijom SF4 klase 4 nm – prema vijestima, otprilike polovica ukupnog proizvodnog kapaciteta SF4 usmjerava se na proizvodnju baznih pločica za HBM4E memorijske sendviče. Na temelju toga očekuje se velika potražnja i u klasičnom segmentu HBM4E i na tržištu HBM4E rješenja s prilagođenim baznim pločicama.
