Samsungovi inženjeri nedavno su stigli do izuzetno važne prekretnice, izvijestio je tim ET Newsa, prema kojem je u južnokorejskoj tvrtki uspješno izrađen prvi 3D V-NAND Flash memorijski čip sa 900 aktivnih slojeva ćelija, što se u više aspekata može smatrati ozbiljnim iskorakom. Tih 900 aktivnih slojeva ćelija prvenstvo je u industriji, jer u segmentu 3D NAND Flash čipova koji su trenutačno u serijskoj proizvodnji rješenje SK hynixa sa 321 aktivnim slojem ćelija drži rekord, doduše, treba dodati da Samsungov razvoj još nije u serijskoj proizvodnji.
Južnokorejska tvrtka ranije je postavila cilj da će do 2030. na tržištu nuditi 3D V-NAND Flash memorijske čipove s 1000 aktivnih slojeva ćelija, što je isprva moglo djelovati kao iznimno ambiciozan plan, a svježim razvojem sada je došao gotovo na dohvat ruke. Tih 900 aktivnih slojeva ćelija naravno se ne postiže jednim monolitnim čipom, jer bi to uz današnju razinu tehnologije bio nemoguće složen zadatak. Umjesto toga primijenjena je tehnologija Hybrid-Bonding, i to postupak Cell Multi-Bonding (CMB) koji je razvila tvrtka, a koji omogućuje da se dva 3D V-NAND memorijska čipa, svaki sa 450 aktivnih slojeva ćelija, slože jedan na drugi i tako nastane razvoj sa 900 aktivnih slojeva ćelija.
Pojedine silicijske pločice „lijepe” se jedna na drugu pomoću ugrađenih metalnih kontakata: u biti se preko njih stvara trajna veza između dviju pločica, no tehnička izvedba daleko je od tako jednostavne. Budući da su silicijske pločice sklone savijanju, trebalo je razviti metodu kojom će se povezivanje u svakom slučaju ostvariti savršeno precizno i bez greške. U tu su svrhu razvijeni mikroskopski sitni držači koji pločice drže u položaju dok se između njih ne ostvari potrebna veza – tom se metodom mogu otkloniti i pogreške u poravnanju.
O točnom tipu sitnih „stezaljki” koje Samsung koristi nije bilo riječi – u pozadini bi mogla biti tehnologija Coulumbic E-Chuck ili Johnsen-Rahbek E-Chuck, ako je riječ o elektrostatičkim rješenjima. Proizvođačevi inženjeri istodobno unose promjene i unutar samog NAND-a, primjerice stvorili su novu arhitekturu bitline i wordline linija kako bi veličina čipova ostala na prihvatljivoj razini, a i potrošnja se mogla držati pod kontrolom.
Još nije rečeno kada točno može početi serijska proizvodnja 3D V-NAND Flash memorijskih čipova sa 900 aktivnih slojeva ćelija, ali nadamo se da će se uskoro službeno otkriti ponešto o novoj prekretnici. U međuvremenu u tvrtki rade na pokretanju serijske proizvodnje V-NAND Flash memorijskih čipova 10. generacije, zahvaljujući čemu ponuda može skočiti iznad 400 aktivnih slojeva ćelija, a kasnije bi mogao debitirati i gore spomenuti razvoj sa 900 aktivnih slojeva ćelija.
