SK hynix je neki dan stigao do još jedne važne prekretnice, zahvaljujući kojoj su napokon mogli početi isporučivati partnerima prve uzorke HBM4E memorijskih čip-sendviča sljedeće generacije u izvedbi 12-Hi. Novitet s 12 DRAM pločica bit će ključan za učinkovito opsluživanje AI akceleratora sljedeće generacije, jer u odnosu na prethodnike iz prethodne generacije predstavlja napredak ne samo u kapacitetu, nego i u propusnosti podataka, što omogućuje postizanje veće memorijske propusnosti, a donosi i poboljšanje energetske učinkovitosti.
HBM4E memorijski čip-sendvič tvrtke SK hynix od 48 GB poseban je i zato što su proizvođači memorije prošle godine još planirali kapacitet od 32 GB postići u izvedbi 12-Hi, dok bi se za kapacitet od 48 GB koristila izvedba 16-Hi. Nasuprot tome, SK hynixov razvoj kapacitet od 48 GB ostvaruje sa samo 12 slojeva DRAM pločica, što znači da pojedine DRAM pločice imaju veću gustoću podataka. Daljnja je dobra vijest da je kod novoga proizvoda temeljenog na HBM4E zahvaljujući novom sučelju i optimizacijama uspjelo smanjiti kašnjenje prijenosa podataka, što je također kritično važan aspekt.
Vrlo važan napredak jest i to što je brzina po kontaktu sada porasla na 16 Gbps, no nije pojašnjeno kolika točno propusnost podataka pruža pojedini memorijski čip-sendvič. No nije tajna da DRAM pločice koje čine osnovu HBM4E mogu biti izrađene tvrtkinom šestom generacijom proizvodne tehnologije od 10 nm (1c), što daje veću gustoću memorijskih ćelija na istoj površini pločice, pa se mogu povećati i kapacitet i energetska učinkovitost. Na potonjem području novi razvoj donosi napredak veći od 20% u odnosu na prethodnu generaciju, što je od velike važnosti na tržištu AI akceleratora.
Važan sastojak recepta je i pakiranje Advanced MR-MUF, koje ojačava strukturu sastavljenu od složenih slojeva DRAM pločica tako što između pojedinih pločica postavlja materijal koji služi kao zaštita, što pozitivno utječe ne samo na strukturnu stabilnost, nego poboljšava i učinkovitost prijenosa topline. Na potonjem području, prema SK hynixu, postignuto je poboljšanje od 17% u odnosu na rješenja prethodne generacije, što pridonosi tome da memorijski podsustav, a time i visokoučinkoviti AI akceleratori, mogu raditi stabilnije te dulje stabilno održavati svoje vršne performanse.
SK hynix zasad nije pojasnio kada točno može početi serijska proizvodnja HBM4E memorijskih čip-sendviča u izvedbi 12-Hi, ali novinari ZDNeta doznaju da bi do toga moglo doći već u prvoj polovici sljedeće godine, ako sve bude u redu. Tvrtka u međuvremenu već razvija i sljedeću, sedmu generaciju širine strukture klase 10 nm, koja će biti ključna za daljnje povećanje performansi i energetske učinkovitosti, što se tiče generacije HBM 5.
