Najveći kineski proizvođač DRAM-a prilično dobro stoji u segmentu planarnih DRAM čipova, jer se ondje može nadmetati s akterima industrije i po kapacitetu i po brzinama. Tvrtka je ranije izazvala golemo iznenađenje na tržištu kad se doznalo da je pokrenula i pokusnu proizvodnju HBM3E memorijskih čip-sendviča, što bi kineskoj industriji UI-ja moglo donijeti goleme prednosti. Tada se još nije moglo znati koje točno memorijske čip-sendviče CXMT proizvodi, odnosno nije bilo konkretnih podataka ni o kapacitetu ni o brzini, a nije se moglo znati ni kakav je udio ispravnih čipova (yield).
Prema informacijama dostavljenima predstavnicima južnokorejskih medija, čini se da oko HBM3E memorijskih čip-sendviča tvrtke CXMT ima dosta poteškoća kad je riječ o udjelu ispravnih čipova. Kineska tvrtka u HBM tehnologiji zaostaje za industrijskim vrhom samo dvije generacije, jer dok se vodeći akteri industrije upravo koncentriraju na memorijske čip-sendviče izgrađene oko standarda HBM4E, CXMT na tržište pokušava ući s HBM3E-om.
Kod pokusne proizvodnje prirodno je da udio ispravnih čipova još ne doseže željenu razinu, jer je proces usmjeren na optimizacije i fino podešavanje, no čini se da se u ovom slučaju inženjeri tvrtke suočavaju s prilično velikim izazovima, jer yield trenutačno iznosi samo oko 25%, odnosno od 20 HBM3E memorijskih čip-sendviča samo otprilike 5 komada ima upotrebljivu kvalitetu. To je naravno bilo očekivano, jer u usporedbi s planarnom DRAM tehnologijom HBM zahtijeva mnogo složenije proizvodne procese: slojevi pločica moraju se vertikalnim spojnicama međusobno povezati i posložiti jedan na drugi, a cijeli „sendvič" komunicira s odgovarajućim GPU-om ili FPGA-om preko osnovne pločice, naravno koristeći kontakte kućišta.
Nizak udio ispravnih čipova objašnjava se upravo nedostatkom iskustva s TSV-ovima, odnosno vertikalnim spojnicama. CXMT prema vijestima za povezivanje pločica koristi samo 3000 TSV-ova, dok je Samsung kod memorijskih čip-sendviča standarda HBM2 primijenio otprilike 5000 TSV-ova, a SK Hynix je povezivanje slojeva HBM3 memorijskog čip-sendviča riješio primjenom više od 8000 TSV-ova. Kod CXMT-a količina od 3000 upućuje na to da tvrtka „samo" 8 DRAM pločica pokušava posložiti jednu na drugu unutar jednog kućišta, što se u svijetu HBM3E memorijskih čip-sendviča smatra normalnom izvedbom. To inače nagovješćuje i da tvrtka u bliskoj budućnosti sigurno neće prijeći na izvedbu 12-Hi, jer ona, iako osigurava znatno povećanje kapaciteta, otežava slaganje 12 slojeva pločica bez greške, odnosno yield kod složenijeg dizajna ne bi dosegnuo ni 25%.
Za sada je naravno prerano ocjenjivati koliko je CXMT-ov prvi pokušaj u HBM segmentu uspješan, jer tvrtka brzo može pronaći odgovore na izazove, što će donijeti rast udjela ispravnih čipova. Kod običnih DRAM čipova rade s yieldom od oko 90%, odnosno za Samsungovim timom zaostaju samo 2-3%, kad je riječ o DDR5 memorijskim čipovima. HBM tehnologija je naravno znatno složenija zbog TSV-ova, pa je vrlo vjerojatno da serijska proizvodnja CXMT-ovih memorijskih čip-sendviča na temelju HBM3E-a može krenuti tek za nekoliko mjeseci.
