MICRON BI TIJEKOM 2027. MOGAO PROIZVODITI NAND FLASH ČIPOVE S VIŠE OD 400 SLOJEVA ĆELIJA

Poput kineskog YMTC-a, tvrtka slojeve ćelija više ne skalira samo duž osi „Z”, nego se širi i prema osima „X” i „Y”, odnosno proizvodi rastu i bočno, zahvaljujući tehnologiji Hybrid Bonding.
J.o.k.e.r
J.o.k.e.r
08:46
Micron bi tijekom 2027. mogao proizvoditi NAND Flash čipove s više od 400 slojeva ćelija

Micron priprema izlazak na tržište nove generacije NAND Flash memorijskih čipova koja donosi velik napredak u nekoliko područja. Čip G11 pomaže udvostručiti gustoću podataka u odnosu na sadašnji model, nudi za 50 % veću I/O performansu, a pridonosi i manjoj potrošnji.

Otvorite galeriju

Novi čip izrađuje se prema tehnologiji XStacking 4.0 koju je razvio kineski YMTC: dvije silicijske pločice spajaju se tehnologijom hybrid bonding, koja omogućuje da se one trajno sjedine preko metalnih kontaktnih jastučića. To je velik iskorak u odnosu na dosadašnja rješenja, jer se kod njih povećavao broj slojeva ćelija, dok se ovaj put čip ne širi samo duž osi „Z”, odnosno prema gore, nego i duž osi „X” i „Y”, to jest bočno.

Micronov koncept je da se različiti dijelovi klasične NAND Flash pločice rasporede na različite silicijske pločice, a zatim ih se spoji tehnologijom Hybrid Bonding. Memorijske ćelije i logičke komponente na periferiji tako se mogu optimizirati neovisno jedne o drugima, što daje veliku fleksibilnost i istodobno omogućuje povećanje i performansi i kapaciteta pohrane.

Zahvaljujući novoj tehnologiji, pojedini NAND Flash memorijski čip razvijen u okviru projekta G11 mogao bi imati čak i više od 400 slojeva ćelija. Micron nije otkrio točan broj. Poznato je samo da će detaljne parametre objaviti tek kasnije, tijekom 2027., a masovnu proizvodnju mogao bi pokrenuti u drugoj polovini iduće godine.

Otvorite galeriju

Poznato je i da je za novi razvoj bio potreban iskorak u razvoju materijala visoke mobilnosti, trebalo je stvoriti ultragusto složene strukture ćelija te poboljšati energetsku učinkovitost podatkovnih staza i različitih komponenti. Gustoća podataka čipa G11 udvostručit će se u odnosu na 21 Gb/mm² koliko nudi G9, dakle iznosit će 42 Gb/mm², a znatno će porasti i I/O performansa, pa će se brzina s 3600 MT/s popeti na 5400 MT/s. Energetska učinkovitost također će se osjetno poboljšati: energija potrebna za prijenos jednog bita može biti 25 % manja nego kod aktualne generacije.

Koliku će propusnost podataka nuditi SSD-ovi s novim memorijskim čipovima, uvelike ovisi o tome koji će im se SSD kontroler pridružiti, a odlučujuće će biti i koliko NAND Flash kanala dizajn može koristiti. Detaljnije informacije o tome stići će kasnije, a cjelovitu sliku pokazat će prvi neovisni testovi, kad prvi SSD-ovi i kartice temeljeni na čipu G11 postanu dostupni.

Pretplata na newsletter

0 komentara

Da biste napisali komentar, prvo Prijaviti se!

Za ta članek še ni komentarjev

Pomozite drugima, recite nam što mislite o članku.
Nazad na vrh stranice